湖南娄底人，工学博士，教授，博士生导师，教育部 “新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“杰出青年基金”获得者、入选c7(中国)官网c7(中国)官网首页首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系，专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院，专业电工理论与新技术，获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所，专业微电子学与固体电子学，获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMay Luo实验室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye 团队做访问学者。2010年12月至今，任教c7(中国)官网c7(中国)官网首页信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项，其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西杰出青年自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金（重点）1项等，科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇，以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇，包括微电子学顶级刊物IEEE Electron Device Letters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部（第二），获得广西自然科学二等奖1项（排名第一），中国电子科技集团技术发明二等奖1项（排名第三）。

1997.7 毕业于湖南大学，电子工程专业，大学；

2003.4 毕业于湖南大学，电工理论与新技术，硕士；

2006.6 毕业于中科院微电子研究所，微电子学与固体电子学，博士；

2006-6-2010.12 香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后（第一站）；

2011.12-2014.12 中国电子科技集团58所，博士后（第二站）；

2014.9-2015.9 美国普渡大学，访问学者

1、1997.09–2000.07 深圳华为技术有限公司 技术员；

2、 2006.06–2010.12 香港科技大学电子与计算机工程系 博士后（第一站）

3、 2010.12–至今 c7(中国)官网c7(中国)官网首页信息与通信学院 教授

4、 2011.12–2015.01 中国电子科技集团58所 博士后（第二站）

1、2006年入选“香港内地人才输入计划”；

2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者；

3、2013年广西“杰出青年基金”获得者；

4、2014年为c7(中国)官网c7(中国)官网首页学术带头人；

5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选；

6、2017年c7(中国)官网c7(中国)官网首页首届“英才计划”人选；

7、2018年广西区优秀专家人选。

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（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鸥） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8

（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鸥）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954

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（8）HaiOu LI（李海鸥）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648

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（10）H.O. Li（李海鸥）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564

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【2】李海鸥(3/6), 可融合GaN/Si功率集成与高频数字化节能关键技术, 中国电子科技集团, 中国电子科技集团技术发明奖, 二等奖, 2015 (黄伟, 于宗光, 李海鸥, 王胜，万清，胡南中)

1. 广西自然科学基金项目（重点）,常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.08

2.国家自然科学基金面上项目，61474031，硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备，2015/01-2018/12，89万元，在研，主持

3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选，2015年，电子科学与技术

4.国家自然科学基金面上项目，61274077，硅基GaN HEMTs 超级结器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86万元，已结题，主持

5.中国博士后科学基金委（特别资助）,硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，2013年，电子科学与技术

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